5ks IRF540N MOSFET tranzistor 100V 33A 130W TO220
Značka: satkit
Včetně DPH (Bez DPH: 35,28 Kč)
Balení 5ks IRF540N MOSFET tranzistorů 100V 33A 130W TO220 je sada N-kanálových MOSFET tranzistorů určených pro elektronické aplikace, které vyžadují vysokou účinnost a schopnost zvládat proud i napětí.
Hlavní vlastnosti:
- Kategorie: N-Channel MOSFET
- Maximální napětí: 100V
- Maximální proud: 33A
- Vnitřní odpor (Rds(on)): 44mΩ
- Napětí hradla: 20V
- Spínací doba: 35ns (náběh a doběh)
- Rozptyl výkonu: 130W
- Pouzdro: TO-220
- Rozsah provozní teploty: -55°C a 175°C
Typické použití:
- Řízení elektromotorů v DIY i profesionálních projektech.
- Výkonové zesilovače a spínané napájecí zdroje.
- Elektronické spínače pro zátěže s vysokým proudem.
- Aplikace v robotice a vestavěných systémech vyžadujících vysokou účinnost.
Kompatibilita: Tento tranzistor je kompatibilní s obvody pracujícími v rámci jeho elektrických specifikací, zejména v projektech vyžadujících N-kanálový MOSFET s vysokou proudovou a napěťovou zatížitelností.
Toto balení 5 kusů umožňuje mít náhradní díly nebo současně realizovat více obvodů, a díky pouzdru TO-220, které usnadňuje odvod tepla, zajišťuje spolehlivý a dlouhodobý výkon.
- Balení 5 tranzistorů IRF540N MOSFET N-kanál
- Maximální napětí 100V pro náročné aplikace
- Maximální proud 33A pro vysoké zátěže
- Nízký vnitřní odpor 44mΩ pro vyšší účinnost
- Rozptyl výkonu 130W pro dlouhodobé použití
- Pouzdro TO-220 pro lepší odvod tepla
- Rychlá spínací doba 35ns
- Provozní teplota od -55°C do 175°C
Otázky a odpovědi zákazníků
Jaká instalační opatření je třeba dodržet, aby nedošlo k poškození IRF540N přehřátím nebo nadproudem?
Aby se předešlo poškození, je zásadní zajistit správný odvod tepla pomocí vhodného chladiče, pokud ztrátový výkon přesahuje 2 W, a dodržet limity: max. 100 V drain-source, 33 A trvale a 130 W výkonu. Dále je třeba zabránit špičkám přesahujícím 20 V na gate a před instalací chránit součástku před elektrostatickým výbojem.
S jakými typy řídicích signálů a logických obvodů je hradlo IRF540N kompatibilní?
IRF540N obvykle vyžaduje napětí na gate alespoň 10 V pro efektivní sepnutí, i když se může začít otevírat už od 2–4 V (Vgs(th)). Dobře funguje s MOSFET driverem nebo logickými obvody s adaptačním stupněm; není vhodné jej připojovat přímo k 3,3V mikrokontrolérům bez mezidriveru.
Jaký typ ochrany nebo bezpečnostních norem musí instalace těchto MOSFET v průmyslových systémech splňovat?
V průmyslových systémech musí instalace zahrnovat ochranu proti přetížení (pojistky nebo jističe), potlačení přechodových jevů (flyback diody nebo varistory) a splňovat normy jako IEC 60950 (elektrická bezpečnost) a ESD (ochrana proti elektrostatickému výboji), aby byla zajištěna bezpečná provozní činnost a dlouhá životnost součástky.
K čemu slouží tranzistor IRF540N MOSFET?
IRF540N je N-kanálový MOSFET tranzistor používaný pro řízení elektrických zátěží s vysokým proudem a napětím v elektronických obvodech, jako jsou motory, zesilovače a napájecí zdroje.
Kolik kusů obsahuje toto balení?
Toto balení obsahuje 5 kusů tranzistoru IRF540N MOSFET.
Jaké má IRF540N pouzdro?
IRF540N je v pouzdře TO-220, které usnadňuje odvod tepla a montáž do obvodů.
Jaké je maximální napětí a proud, které tento tranzistor zvládne?
Tranzistor zvládne maximální napětí 100V a maximální proud 33A.
Je vhodný pro projekty vyžadující vysoký rozptyl výkonu?
Ano, tento tranzistor má maximální rozptyl výkonu 130W, což je ideální pro aplikace vyžadující vyšší výkon.